论非饱和线性磁阻的起源

非饱和经典线性磁阻的观测一直是固体物理学中一个神秘的现象。我们提出了一项关于二维欧姆导体的研究，其中包含了局部霍尔效应与对环境的自洽考量。等效电路方案提供了一个简单且令人信服的论证，说明只要电流与偏置电场因非局域机制而发生错位，磁阻在强磁场下便是线性的。二维导体的有限元模型适用于展示产生此类偏离电流的情形。除了电极旁的边缘效应外，载流子密度涨落也能有效产生该效应。然而，经常被与线性磁阻联系起来的迁移率涨落则几乎无关紧要。尽管线性磁阻鲜少被观测到，但在低载流子密度、电流路径错位与强磁场区域，它与其说是例外，不如说是常态。