无序诱导的非饱和线性磁阻的有效介质与随机电阻网络模型的等价性
介观与纳米尺度物理
2017-12-20 v1
摘要
在高垂直磁场下出现的线性非饱和磁阻，以及低场下的二次正磁阻，已在许多不同的实验材料中观察到，从银硫族化合物和 InSb 薄膜到石墨烯和 Dirac 半金属等拓扑材料。在文献中，有两种截然不同的理论方法被用于将这种经典磁阻解释为样品无序的结果。唯象的随机电阻网络模型构建了一个四端电阻网格，每个电阻具有变化的随机电阻。有效介质理论模型则设想了一个平滑变化的无序势，导致局部电导率的连续变化。在此，我们以数值方式证明，这两种模型属于同一个普适类，并且随机电阻网络的一个受限类实际上等价于有效介质理论。这两种模型也与多种材料的实验结果吻合良好。此外，我们表明，在两种情况下，单一参数，即载流子密度的涨落与平均载流子密度之比，完全决定了磁阻分布。
引用
@article{arxiv.1703.05478,
title = {Equivalence of Effective Medium and Random Resistor Network models for disorder-induced unsaturating linear magnetoresistance},
author = {Navneeth Ramakrishnan and Ying Tong Lai and Silvia Lara and Meera M. Parish and Shaffique Adam},
journal= {arXiv preprint arXiv:1703.05478},
year = {2017}
}
备注
6 pages, 5 figures