Al$_2$O$_3$/SrTiO$_3$异质结构中的无序诱导线性磁电阻
介观与纳米尺度物理
2024-01-09 v2
摘要
未饱和线性磁电阻（LMR）因潜在应用与基础科学意义而广受关注。通过控制生长温度，我们在Al2O3/SrTiO3异质结构中实现了金属-绝缘体转变。LMR在电子迁移率跨越三个数量级的金属性样品中被观测到。即便在极高迁移率样品中，观测到的LMR也无法用导向中心扩散模型解释。观测LMR的斜率正比于霍尔迁移率，而表明由低场二次场依赖向高场线性场依赖转变的交叉场正比于霍尔迁移率的倒数。这意味着经典模型可有效解释观测到的LMR。更重要的是，我们依据有效介质理论推导出等价于经典模型的解析表达式，该解析表达式极好地描述了LMR数据，证实了经典模型的有效性。
引用
@article{arxiv.2308.10152,
title = {Disorder-induced linear magnetoresistance in Al$_2$O$_3$/SrTiO$_3$ heterostructures},
author = {Gao Kuang Hong and Lin Tie and Ma Xiao Rong and Li Qiu Lin and Li Zhi Qing},
journal= {arXiv preprint arXiv:2308.10152},
year = {2024}
}
备注
24 Pages, 4 figures, 1 table