锑晶体中的极大脑线性磁电阻
材料科学
2020-01-06 v1
摘要
在本通讯中，我们报道了在锑（Sb）晶体中观测到的极大大不饱和线性磁电阻（MR）。在9T磁场下，于2K观察到43000%的极大脑磁电阻（XMR），以及在室温下约70%的大不饱和MR。霍尔测量揭示了载流子约3.8 x 10 cm/Vs的极高迁移率，以及载流子浓度与迁移率的强温度依赖性。MR及其从二次到线性MR的 crossover 场（B）分别随迁移率及迁移率倒数标度，正如Parish和Littlewood（PL）针对无序系统模型所暗示的那样，描述了该晶体中大脑线性MR的经典起源。
引用
@article{arxiv.2001.00778,
title = {Extremely large linear magnetoresistance in Antimony crystal},
author = {Mukesh Kumar Dasoundhi and Indu Rajput and Devendra Kumar and Archana Lakhani},
journal= {arXiv preprint arXiv:2001.00778},
year = {2020}
}
备注
5 pages, 4 figures