Cu$_{2-x}$Te 中的非常规巨大线性磁阻

我们报道了在 Cu$_{2-x}$Te 中观察到的巨大线性磁阻，在 2 K 和 9 T 磁场下达到 $\Delta\rho/\rho(0)$ = 250\%。该现象在 $x$ 处于 0.13 至 0.22 范围内的样品中被观察到，其结果与 Ag$_2 X$ 材料中观察到的效应相当，尽管在此情况下该结果出现在宽得多的体载流子密度范围内。通过考察低场二次行为到高场线性行为的交叉场与磁阻大小的关系，我们表明基于经典输运行为的模型能最好地解释观察到的结果。该效应可追溯至由于该系统中的拓扑反转行为导致的电流偏转，从而稳定的表面态提供了高迁移率输运通道。电阻率在出现巨大线性磁阻的温度范围内也转变为 $T^2$ 依赖关系，这是表面态内电子-电子相互作用效应的标志。因此，这是一个这些相互作用主导表面态低温行为的系统实例。