超高迁移率二维电子系统中负巨磁阻的理论模型
介观与纳米尺度物理
2015-06-22 v1
摘要
我们报告了关于低温下超洁净二维电子系统中最近发现的负巨磁阻的理论研究。我们将一种输运模型适配至超洁净情形，并计算了朗道能级宽度远小于回旋能量这一机制下的弹性散射率（电子 - 带电杂质）。我们发现，在低磁场下，由于朗道能级之间的态密度很小，散射率以及随之而来的纵向磁阻急剧下降。我们还研究了这一显著效应对温度和面内磁场的依赖性。
引用
@article{arxiv.1406.5092,
title = {Theoretical model for negative giant magnetoresistance in ultra-high-mobility 2D electron systems},
author = {Jesús Inarrea},
journal= {arXiv preprint arXiv:1406.5092},
year = {2015}
}
备注
5pages, 5 figures