非马尔可夫效应引起的异常负磁阻
介观与纳米尺度物理
2009-11-10 v2
摘要
我们发展了一种理论, 以解释最近发现的异常低场磁阻。该理论适用于由随机分布的半径为 的硬圆盘散射的二维电子体系。对于小磁场, 磁阻为抛物线形式, 与气体参数成反比: 。随场增大, 磁阻变为线性形式: , 与实验和数值模拟结果良好一致。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0303616,
title = {Anomalous Negative Magnetoresistance Caused by Non-Markovian Effects},
author = {Vadim V. Cheianov and A. P. Dmitriev and V. Yu. Kachorovskii},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0303616},
year = {2009}
}
备注
4 pages RevTeX, 5 figures