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非马尔可夫效应引起的异常负磁阻

介观与纳米尺度物理 2009-11-10 v2

摘要

我们发展了一种理论, 以解释最近发现的异常低场磁阻。该理论适用于由随机分布的半径为 aa 的硬圆盘散射的二维电子体系。对于小磁场, 磁阻为抛物线形式, 与气体参数成反比: δρxx/ρ(ωcτ)2/na2\delta \rho_{xx}/\rho \sim - (\omega_c \tau)^2 / n a^2。随场增大, 磁阻变为线性形式: δρxx/ρωcτ\delta \rho_{xx}/\rho \sim - \omega_c \tau , 与实验和数值模拟结果良好一致。

关键词

引用

@article{arxiv.cond-mat/0303616,
  title  = {Anomalous Negative Magnetoresistance Caused by Non-Markovian Effects},
  author = {Vadim V. Cheianov and A. P. Dmitriev and V. Yu. Kachorovskii},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0303616},
  year   = {2009}
}

备注

4 pages RevTeX, 5 figures