非磁性量子尺寸结构中的场非对称横向磁阻
材料科学
2009-10-31 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
在磁场平行于量子阱层面的 heavily doped 非对称量子尺寸结构中，观察到一种新的现象——横向磁阻表现为场的非对称性（甚至可能改变符号），且该结构内存在内置横向电场。提出了该现象的模型。观察到的磁阻非对称性归因于在非平衡条件下产生的额外电流贡献，这种贡献是电化学势梯度的线性项，与描述能谱相对于准动量非对称性的参数成正比。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9812382,
title = {Field-asymmetric transverse magnetoresistance in a nonmagnetic quantum-size structure},
author = {A. A. Gorbatsevich and V. V. Kapaev and Yu. V. Kopaev and I. V. Kucherenko and O. E. Omel'yanovskii and V. I. Tsebro},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9812382},
year = {2009}
}
备注
10 pages, 5 figures. For correspondence, mail to [email protected]