TaAs2中的反常电子结构与负磁电阻
强关联电子
2016-06-08 v2 介观与纳米尺度物理
材料科学
超导电性
摘要
金属在磁场中的电阻能很好地揭示其基态。一些著名例子包括整数和分数量子霍尔效应\cite{Klitzing-QHE,Tsui-FQHE}、Shubnikov-de Haas振荡\cite{SdH}以及弱局域化\cite{Lee-WL} \emph{et al}。在非相互作用金属中，电阻通常随磁场施加而增加\cite{Pippard-MR}。相反，在某些特殊情况下，具有各向异性费米面的金属\cite{Kikugawa-PdCoO2LMR}或所谓的Weyl半金属\cite{Nielsen-ABJ,Son-ChirAnom}可能呈现负磁电阻。本文表明半金属TaAs具有巨大的负磁电阻（低温3 T磁场下为98\%），其机制未知。密度泛函计算说明TaAs是一种无Dirac色散的新拓扑半金属[不变量(0;111)]。这表明非磁性半金属中负磁电阻的存在不能唯一归因于体Dirac/Weyl费米子的Adler-Bell-Jackiw反常。我们的结果还暗示OsGe型单斜二磷化物很可能是可能发现非常规拓扑半金属的材料基础。
引用
@article{arxiv.1601.05524,
title = {Anomalous electronic structure and magnetoresistance in TaAs$_2$},
author = {Yongkang Luo and R. D. McDonald and P. F. S. Rosa and B. Scott and N. Wakeham and N. J. Ghimire and E. D. Bauer and J. D. Thompson and F. Ronning},
journal= {arXiv preprint arXiv:1601.05524},
year = {2016}
}
备注
17+9 pages, 4+4 figures, 1+1 tables