高迁移率半金属 TaAs2 中的巨半经典磁电阻
材料科学
2016-02-19 v1
摘要
我们报道在单晶高迁移率半金属 TaAs2 中观测到巨大的正磁电阻（MR）。在宽温区（T = 2-300 K）内，MR 与磁场 B 的单一二次函数高度吻合，表明该 MR 具有半经典本质。霍尔效应与 Shubnikov-de Haas 振荡的测量以及能带结构计算表明，巨磁电阻源于 TaAs2 中近乎完美补偿的电子与空穴。在 B = 9 T 与 T = 2 K 时，二次 MR 甚至可超过 1,200,000%，这是包括最近发现的 WTe2 和 NbSb2 在内的所有已知半金属化合物中的最大值之一。TaAs2 中的巨正磁电阻不仅与磁性体系中观测到的负巨磁电阻有根本不同的起源，而且提供了一个良好的互补体系，有益于磁电子器件的应用。
引用
@article{arxiv.1601.04948,
title = {Giant semiclassical magnetoresistance in high mobility TaAs2 semimetal},
author = {Desheng Wu and Jian Liao and Wei Yi and Xia Wang and Peigang Li and Hongming Weng and Youguo Shi and Yongqing Li and Jianlin Luo and Xi Dai and Zhong Fang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1601.04948},
year = {2016}
}
备注
13 pages, 4 figures, Accepted by Appl. Phys. Lett. (Submitted the paper on Nov. 22, 2015)