TaAs2 在高达约 37 GPa 压力下的稳健磁电阻
材料科学
2019-11-12 v1
摘要
非磁性半金属中的极大型磁电阻（XMR）因有趣的物理机制和潜在应用而引发日益增长的研究兴趣。我们报道了同步辐射 X 射线衍射（SXRD）和 TaAs2 在高达约 37 GPa 压力下的电输运测量结果，揭示了晶胞的各向异性压缩、9.5 GPa 以上异常 As-As 键的形成以及金属性的增强。有趣的是，TaAs2 的磁电阻随压力变化平缓，在 1.7 GPa 时为 96.6%，在 36.6 GPa 时仍为 36.7%。这种近乎稳健的加压磁电阻可能与第一性原理计算所揭示的近乎稳定的电子结构有关。该发现将拓展 XMR 即便在高压下的潜在用途。
引用
@article{arxiv.1906.06012,
title = {Robust magnetoresistance in TaAs2 under pressure up to about 37 GPa},
author = {Hongyuan Wang and Cuiying Pei and Hao Su and Zhenhai Yu and Mingtao Li and Wei Xia and Xiaolei Liu and Qifeng Liang and Jinggeng Zhao and Chunyin Zhou and Na Yu and Xia Wang and Zhiqiang Zou and Lin Wang and Yanpeng Qi and Yanfeng Guo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1906.06012},
year = {2019}
}
备注
15 pages, 7 figures including those in supporting information