拓扑平庸半金属 $\alpha$-WP$_2$ 中的极大大磁阻
强关联电子
2018-07-04 v1
摘要
极大大磁阻(XMR)近来在许多非磁性材料中被发现,但由于这些材料复杂的电子结构,其 underlying 机制仍知之甚少。此处,我们报道了对 相 WP 的研究,这是一种具有单斜晶体结构(C2/m)的拓扑平庸半金属,与近来在 -WP 中发现的稳健 II 型 Weyl 半金属相形成对比。我们发现 -WP 几乎具备 XMR 材料的所有特征:近二次的磁阻场依赖、低温下场诱导电阻上拐继而平台化(可由补偿效应理解),以及由我们霍尔效应测量确认的高载流子迁移率。还发现 -WP 中不同磁场下的归一化磁阻具有相同温度依赖性,Kohler 标度律可在宽温区描述磁阻数据,且各向异性参数 值随温度无明显变化。当磁场在 面内旋转时,电阻极坐标图呈花生形,这可由费米面的各向异性理解。这些结果表明,场诱导能隙与温度诱导 Lifshitz 相变均非 -WP 半金属中电阻上拐的起因。我们的发现确立了 -WP 作为探索 XMR 现象的新参比材料。
引用
@article{arxiv.1804.03879,
title = {Extremely large magnetoresistance in topologically trivial semimetal $\alpha$-WP$_2$},
author = {Jianhua Du and Zhefeng Lou and ShengNan Zhang and Yuxing Zhou and Binjie Xu and Qin Chen and Yanqing Tang and Shuijin Chen and Huancheng Chen and Qinqing Zhu and Hangdong Wang and Jinhu Yang and quanSheng Wu and Oleg V. Yazyev and Minghu Fang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1804.03879},
year = {2018}
}
备注
18 pages, 12 figures