节点线半导体 VP$_2$ 中的大磁阻与弱反局化
强关联电子
2026-04-30 v1
摘要
在成功生长高品质 VP 单晶后，我们系统研究了其在 various 磁场下的纵向电阻 和霍尔电阻 ，结合电子能带和费米面（FS）计算。能带计算表明 VP 是一种 II 类节点线半导体，霍尔电阻测量证实了这一点。发现磁阻（MR）在较大磁场下表现为线性行为，未出现饱和现象，在 40 K 时可达 170%，该值由固有的电子结构决定，主要由洛伦兹力主导，经电阻各向异性测量和数值模拟证实。我们还发现，少量磁性杂质（V，，2.24%）的存在导致 中出现康达效应，电导在较小磁场下表现出典型的弱反局化（WAL）行为。这些结果表明 VP 是一种包含磁性杂质的拓扑材料的电子传输性质研究平台。
引用
@article{arxiv.2604.26480,
title = {Large magnetoresistance and weak-antilocalization in the nodal-line semimetal VP2},
author = {Chunxiang Wu and Shuijin Chen and Tingyu Zhou and Le Liu and Xin Peng and Jianjian Jia and Xinyu Yu and Hangdong Wang and Jinhu Yang and Jianhua Du and Minghu Fang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2604.26480},
year = {2026}
}
备注
8 pages, 4 figures,