节点线半金属 MoO2 中的大磁阻与非零 Berry 相位
材料科学
2020-10-21 v1
摘要
我们对单斜晶体结构的 MoO2 进行了电子能带结构与费米面的计算，并测量了纵向电阻率 rhoxx(T,H)、霍尔电阻率 rhoxy(T,H) 以及磁化量子振荡随温度在各种磁场下的变化。能带结构计算表明，当忽略自旋轨道耦合时，MoO2 是一种节点线半金属。研究发现，在 2 K 和 9 T 下达到 5.03x10^4% 的大磁阻、其近二次的场依赖性以及 rhoxx(T) 的场诱导上转行为——许多拓扑非平凡以及平凡的半金属共有的特征——也在 MoO2 中出现。所观察到的性质归因于完美的载流子补偿，这由依赖费米面拓扑的计算和霍尔电阻率测量共同证实。负磁阻（磁场沿电流方向）的观测以及 de Haas-van Alphen 测量中的非零 Berry 相位均表明 MoO2 中出现了 Weyl 点对的，这可能源于晶体对称性破缺。这些结果凸显了 MoO2 作为研究氧化物拓扑性质的新平台材料。
引用
@article{arxiv.2007.04814,
title = {Large magnetoresistance and non-zero Berry phase in the nodal-line semimetal MoO2},
author = {Qin Chen and Zhefeng Lou and ShengNan Zhang and Binjie Xu and Yuxing Zhou and Huancheng Chen and Shuijin Chen and Jianhua Du and Hangdong Wang and Jinhu Yang and QuanSheng Wu and Oleg V. Yazyev and Minghu Fang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2007.04814},
year = {2020}
}
备注
8 papges, 7 figures