CoS₂中Berry相对库仑电导的固有贡献
材料科学
2025-03-28 v1
摘要
在 Weyl 半导体中,导带和价带在布里渊区的不同点相交(Weyl 点),这些点在动量空间中充当 Berry 曲率的单极子。这种非平凡的带拓扑结构通过电子结构计算被识别出来,导致各种奇异的磁输运性质。采用包含部分精确交换的混合函数计算、磁性输运测量以及随温度变化的电阻率,确认了 CoS₂中非平凡带拓扑和半金属性,其磁性有序温度为 。然而,电子结构计算也表明,施加小应变会将这种半金属性转化为金属性。有趣的是,CoS₂薄膜的磁电阻率 (MR) 在 时表现为在临界场以上出现的弱耗尽现象,以及在温度从 到 时呈现 MR 从负到正的转变。实验观察到异常 Hall 电阻率,并通过 ~initio 计算得到的带结构、Berry 曲率和 Hall 电导 (),证明 CoS₂的 主要由固有 Karplus-Luttinger 贡献驱动,常与 Berry 相位物理学相关联。
引用
@article{arxiv.2503.21027,
title = {Intrinsic Berry phase contribution to Hall conductivity in CoS$_2$},
author = {Tamal Kumar Dalui and Hari Paudyal and Durga Paudyal and Ramesh C Budhani},
journal= {arXiv preprint arXiv:2503.21027},
year = {2025}
}
备注
7 pages and 10 figures