单层 MoS2 中谷霍尔效应与轨道霍尔效应的成像
介观与纳米尺度物理
2020-10-21 v2
摘要
材料电子结构的拓扑性质编码于其贝里曲率之中，该量与横向电导率密切相关。在破缺反演对称性的过渡金属硫族化物中，非零贝里曲率导致谷霍尔效应。本文中，我们指出了这些材料中贝里曲率一个此前未被认识到的后果：电场引起的电子电荷密度取向变化。我们利用第一性原理计算表明，对 MoS 中电场诱导的电荷密度或局域态密度的测量变化可用于测量其依赖于能量的谷霍尔电导率和轨道霍尔电导率。
引用
@article{arxiv.2002.11772,
title = {Imaging the valley and orbital Hall effect in monolayer MoS2},
author = {Fei Xue and V. P. Amin and P. M. Haney},
journal= {arXiv preprint arXiv:2002.11772},
year = {2020}
}
备注
Main text: 5 pages, 4 figures. Supp. Info: 10 pages, 7 figures