单层 MoS$_2$ 中 Berry 曲率偶极与谷磁化的应变工程
介观与纳米尺度物理
2019-09-04 v2
摘要
Berry 曲率偶极是一种有望在一系列固态系统中实现多种量子几何现象的物理量。单层过渡金属硫族化物提供了一个卓越的平台,可通过应变来调制并研究 Berry 曲率偶极。在此,我们针对单层 MoS_\rm{2} 理论展示并实验验证了由于 Berry 曲率偶极作为对平面内电场的响应而产生谷轨道磁化。所测得的谷轨道磁化与计算所得的 Berry 曲率偶极极为吻合,而后者可由应变的大小与方向调控。我们的结果表明,Berry 曲率偶极在载流系统中充当有效磁场,为产生磁化提供了一条新途径。
引用
@article{arxiv.1907.00010,
title = {Strain-engineering of Berry curvature dipole and valley magnetization in monolayer MoS$_2$},
author = {Joolee Son and Kyung-Han Kim and Y. H. Ahn and Hyun-Woo Lee and Jieun Lee},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.00010},
year = {2019}
}
备注
5 pages, 5 figures