单层WSe2中依赖于应变的电阻与巨应变系数
介观与纳米尺度物理
2021-09-09 v1 材料科学
摘要
我们报道了单层WSe2在不同温度下电阻对单轴应变的强烈依赖，其应变系数可达2400之大。对应变依赖电阻与巨应变系数的观察归因于非零贝里曲率偶极子的出现。随着应变增大，贝里曲率偶极子可产生净轨道磁化，从而引入额外的磁散射，降低迁移率进而降低电导率。我们的工作展示了贝里曲率及其输运性质的应变工程，使单层WSe2在高性能柔性透明电子器件中具有应用潜力。
引用
@article{arxiv.2109.02980,
title = {Strain-dependent resistance and giant gauge factor in monolayer WSe2},
author = {Mao-Sen Qin and Xing-Guo Ye and Peng-Fei Zhu and Wen-Zheng Xu and Jing Liang and Kaihui Liu and Zhi-Min Liao},
journal= {arXiv preprint arXiv:2109.02980},
year = {2021}
}
备注
15 pages, 4 figures