单层MoS2中应变增强的迁移率
材料科学
2022-10-07 v2 介观与纳米尺度物理
应用物理
摘要
应变工程是调控半导体性质的重要方法，几十年来一直被用于提高硅晶体管的迁移率。最近，理论研究表明应变也能改善二维(2D)半导体的迁移率，例如通过减少谷间散射或降低有效质量。在此，我们在柔性衬底上通过单轴拉伸应变，实验展示了单层MoS2晶体管中应变增强的电子迁移率。在高达0.7%的拉伸应变下，导通电流和迁移率几乎翻倍，且应变释放后器件恢复到初始状态。我们还展示了单层MoS2的栅压相关应变因子高达200，高于此前报道的亚1 nm薄压阻薄膜的数值。这些结果证明了应变工程用于提升集成电路性能或柔性应变传感器等应用中的二维半导体具有重要意义。
引用
@article{arxiv.2205.03950,
title = {Strain-Enhanced Mobility of Monolayer MoS2},
author = {Isha M. Datye and Alwin Daus and Ryan W. Grady and Kevin Brenner and Sam Vaziri and Eric Pop},
journal= {arXiv preprint arXiv:2205.03950},
year = {2022}
}