应变下少层悬浮 MoS$_2$ 的电子输运调制
材料科学
2018-07-04 v3
摘要
新型传感器、换能器和电子元件的制造可以受益于改变金属-半导体-金属 (MSM) 器件电子输运的能力。二维材料对这些新技术极具吸引力。这可以通过几种现象来决定，如压电效应、压阻效应和 Schottky 势垒调制。特别是，在其他过渡金属二硫化物 中，MoS 被预测在应变下表现出从半导体到金属的转变。在本文中，我们展示了在单轴拉伸应变下少层悬浮 MoS 带状结构电子输运调制的测量结果。实验观察到的两端 IV 曲线变化可以用半导体中带隙闭合来解释。三层带状结构实现了 240 的最大应变系数。我们还报道了允许对悬浮 MoS 带状结构施加高应变的制造工艺，为未来研究应变对二维材料的影响铺平了道路。
引用
@article{arxiv.1609.09715,
title = {Electronic transport modulation on few-layers suspended MoS$_2$ under strain},
author = {Igor Neri and Miquel López-Suárez},
journal= {arXiv preprint arXiv:1609.09715},
year = {2018}
}