单轴应变诱导的 MoS$_2$ 单层电子性质改变
材料科学
2024-01-26 v1
摘要
二硫化钼（MoS）因其应变调控的电子与光学性质而引人关注，使其成为应变工程器件的候选材料。本研究采用第一性原理计算考察单轴应变对 MoS 单层电子性质的影响。结果表明，在 1.743% 应变下发生 K-K 直接到 -K 间接带隙跃迁的交叉。此外，观测到价带顶与导带底处 Mo-4d 与 S-3p 轨道的修改带隙与态密度（DOS）之间的强关联。沿 a 晶轴的单轴应变调控的原子间距不仅以不同速率改变带隙，还影响 Mo-4d 轨道的 DOS 与可能的电子跃迁。本研究阐明了二维 MoS2 单层电子结构修饰的机制，其可能影响谷间跃迁。
引用
@article{arxiv.2201.00500,
title = {Uniaxial Strain-Induced Electronic Properties Alteration of MoS$_2$ Monolayer},
author = {A. Setiawan and I. P. Handayani and E. Suprayoga},
journal= {arXiv preprint arXiv:2201.00500},
year = {2024}
}
备注
12 pages, 4 figures