机械形变下缺陷MoS$_{2}$单层的电子性质：第一性原理方法

六族过渡金属硫族化物（TMDs）单层（ML）是具有直接带隙的半导体二维材料，在纳米电子学与光电子学等诸多科技领域展现出可观应用前景。这些单层可在无任何断键情况下承受高达约10%的强弹性形变。此外，定义这些TMDs单层在纳米电子器件中性能的电子结构与输运性质，会受常存在于合成样品中的点缺陷的强烈影响。因而，理解这两种效应对此类单层电子性质的影响十分重要。本工作中，我们利用密度泛函理论模拟，研究了受不同应变作用的缺陷MoS$_{2}$单层的电子结构与能量性质。我们的结果表明，应变导致带隙内缺陷能级及其轨道特征的强烈改变。应变还将简并缺陷能级分裂达450~meV，提出了新颖应用。