单层过渡金属硫族化合物中电场诱导结构动力学的直接可视化
材料科学
2020-02-13 v2
摘要
层状过渡金属硫族化合物（TMDs）为下一代低维器件结构提供了许多引人注目的特性。由于与原位方法相关的实际与制备挑战，导致可实现宏观器件性质的原子尺度动力学往往不清楚。在本研究中，利用原位透射电子显微技术以理解典型单层 MoS2 薄膜在电偏压下的结构动力学，特别是在界面与缺陷处。通过我们的样品制备过程，我们清晰识别出在横向电场存在下的质量输运。特别地，我们观察到晶界处的空隙合并引发结构变形。电场介导了从晶界内部到暴露表面边缘位置的净空位通量，并在其后留下钼团簇。然而，在初始偏压循环之后，质量流大幅减弱，且所得结构在重复偏压下保持稳定。我们相信本工作的见解有助于解释这些材料中晶界处的非均匀加热与择优氧化现象。
引用
@article{arxiv.1910.02879,
title = {Direct Visualization of Electric Field induced Structural Dynamics in Monolayer Transition Metal Dichalcogenides},
author = {Akshay A. Murthy and Teodor K. Stanev and Roberto dos Reis and Shiqiang Hao and Chris Wolverton and Nathaniel P. Stern and Vinayak P. Dravid},
journal= {arXiv preprint arXiv:1910.02879},
year = {2020}
}
备注
4 figures, ACS Nano