少层MoS₂中的栅压可调带边
介观与纳米尺度物理
2025-03-06 v1 其他凝聚态物理
摘要
过渡金属二硫化物(TMDs)因单层与体相构型之间六方布里渊区内带边位置的变化而受到广泛关注。在单层中，导带最小值位于K点，而在多层中，它们移至Γ点和K点之间的中点Q点。在本研究中，我们进行了磁输运实验，以测量四层二硫化钼(MoS₂)中Q谷和K谷的占据情况。我们通过将实验结果与考虑层间屏蔽效应的混合k·p紧束缚模型相结合，证明了导带边的静电可调性。此外，我们将模型扩展至双层和三层MoS₂，修正了先前的实验结果，并量化了原子级薄TMDs中带边的可调范围。
引用
@article{arxiv.2503.03371,
title = {Gate-tunable band-edge in few-layer MoS$_2$},
author = {Michele Masseroni and Isaac Soltero and James G. Hugh and Igor Rozhansky and Xue Li and Alexander Schmidhuber and Markus Niese and Takashi Taniguchi and Kenji Watanabe and Vladimir Fal'ko and Thomas Ihn and Klaus Ensslin},
journal= {arXiv preprint arXiv:2503.03371},
year = {2025}
}