二硫化钼、二硒化钼和碲化钼中的未占据能带
介观与纳米尺度物理
2025-09-05 v1 材料科学
摘要
我们给出了三种基于钼的过渡金属硫族化合物（TMDs）MoS、MoSe 和 MoTe 的角分辨反射电子能谱（ARRES）数据。为了更详细地追踪该系列从 S 到 Se 再到 Te 的变化，我们测定了单层和块体 TMDs 的精确 IV 谱。随后，将这些实验数据集与未占据能带结构和散射态密度的理论预测进行了比较。我们发现两者吻合良好，特别是在非弹性效应相对不重要的较低能量处。此外，我们鉴定了一系列层间共振，并观察到了杂化效应对层数的依赖关系。尽管这些共振与 hBN 和石墨烯中的层间共振相似，但它们的性质有所不同，主要由硫族原子的未占据 态主导。这里研究和分析的未占据态在所有需要电子暂时驻留于真空能级以上状态的过程中起着关键作用，例如在光电子发射和二次电子发射实验中。
引用
@article{arxiv.2509.04411,
title = {Unoccupied bands in the molybdenum dichalcogenides MoS$_2$, MoSe$_2$, and MoTe$_2$},
author = {J. Jobst and E. E. Krasovskii and R. Ribeiro and T. A. de Jong and C. R. Dean and R. M. Tromp and S. J. van der Molen},
journal= {arXiv preprint arXiv:2509.04411},
year = {2025}
}