MoTe2中氢诱导相变的厚度依赖性
材料科学
2020-04-29 v1
摘要
二维过渡金属硫族化合物（TMDs）通常以两种或更多具有不同物理性质的结构相存在，并可通过不同刺激在这些相之间反复切换，使其在存储器件中具有潜在用途。理解TMDs与传统半导体之间，或形成异质或同质组装的其他二维晶体之间的界面物理，对其在技术中的成功应用至关重要。然而，迄今为止，大多数理论工作探索了真空中孤立TMD单层的相变性质。利用第一性原理计算，我们通过研究MoTe2单层和双层中氢诱导的相变，展示了界面效应如何改变相变的热力学和动力学。MoTe2的相变性质表现出显著的厚度依赖性，在室温下氢化双层的相变时间尺度比单层长约10^7倍。我们的研究强调了在预测二维晶体性质时考虑直接环境效应的重要性。
引用
@article{arxiv.2003.03895,
title = {Thickness-dependence of hydrogen-induced phase transition in MoTe$_{2}$},
author = {Priyanka Manchanda and Pankaj Kumar and Pratibha Dev},
journal= {arXiv preprint arXiv:2003.03895},
year = {2020}
}