异质界面效应对插层 MoS2 中锂诱导相变的影响
材料科学
2022-01-06 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
MoS2 从半导体 2H 相到半金属 1T' 相的插层诱导相变已被详细研究近十年；然而，MoS2 与其他二维（2D）晶体之间的异质界面对该相变的影响在很大程度上被忽视。此处，第一性原理计算表明，在 MoS2-六方氮化硼（hBN）界面插层 Li 可使 MoS2 的 1T 相比 2H 相稳定约 100 mJ m-2，表明用 hBN 封装 MoS2 可能降低插层诱导相变所需的电化学能量。然而，Li+ 电化学插层过程中 hBN-MoS2-hBN 异质结构的原位拉曼光谱显示，异质结构发生相变的施加电压与裸 MoS2 相同。我们假设，所预测的 1T'-MoS2-hBN 界面的热力学稳定被异质界面空间位阻所施加的相变能垒所抵消。异质结构加热后相变在更低施加电压下发生，这支持了我们的假设。我们的研究强调，2D 异质结构的界面效应可超越调制电学性质，并能改变电化学与相变行为。
引用
@article{arxiv.2011.13825,
title = {Heterointerface effects on lithium-induced phase transitions in intercalated MoS2},
author = {Sajad Yazdani and Joshua V. Pondick and Aakash Kumar and Milad Yarali and John M. Woods and David J. Hynek and Diana Y. Qiu and Judy J. Cha},
journal= {arXiv preprint arXiv:2011.13825},
year = {2022}
}
备注
4 figures and 1 table