六方氮化硼封装对少层 MoS$_2$ 电子结构的影响
材料科学
2019-06-18 v2
摘要
六方氮化硼(hBN)封装已广泛应用于二维材料的电子学器件中，通过保护二维材料免受污染和退化来改善器件性能。通常认为，作为电介质的 hBN 层不会影响被封装二维材料的电子结构。本文结合理论与实验拉曼光谱研究了封装于 hBN 薄片中的少层 MoS。我们发现封装后面外 A 模发生蓝移，而面内 E 模发生红移。测得的 E 模红移不随 MoS 厚度增加而减小，这可归因于 hBN 封装的典型实验过程在双层和三层 MoS 中引起的拉伸应变。我们估算了应变大小，发现诱导应变可能导致少层 MoS 导带发生 K-Q 交叉，从而极大地改变其作为 n 型半导体的电子性质。我们的研究表明，hBN 封装应谨慎使用，因为它可能影响被封装少层二维材料的电子性质。
引用
@article{arxiv.1905.05493,
title = {Effects of Hexagonal Boron Nitride Encapsulation on the Electronic Structure of Few-layer MoS$_2$},
author = {Xu Han and Jiangxiazi Lin and Junwei Liu and Ning Wang and Ding Pan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1905.05493},
year = {2019}
}
备注
Accepted by J. Phys. Chem. C, 18 pages and 5 figures