hBN封装单层MoSe2中的激子扩散
介观与纳米尺度物理
2020-09-30 v2
摘要
激子(excitons)是由电子和空穴组成的准粒子，在低维纳米结构的光学响应中起着重要作用。在这项工作中，我们研究了封装在六方氮化硼薄片之间(hBN/MoSe2/hBN)的单层MoSe2中的激子扩散。通过光致发光(PL)成像和数值求解二维扩散方程，我们揭示了hBN/MoSe2/hBN中激子迁移率的温度依赖关系在低温下呈现非饱和增长，这在性质上不同于由化合物半导体组成的量子阱。hBN/MoSe2/hBN中单层MoSe2的超平坦结构可能抑制了带电杂质散射和表面粗糙度散射。
引用
@article{arxiv.2004.13267,
title = {Exciton diffusion in a hBN-encapsulated monolayer MoSe2},
author = {T. Hotta and S. Higuchi and A. Ueda and K. Shinokita and Y. Miyauchi and K. Matsuda and K. Ueno and T. Taniguchi and K. Watanabe and R. Kitaura},
journal= {arXiv preprint arXiv:2004.13267},
year = {2020}
}