MoSe2 单层中激子与三子的 Seebeck 漂移成像
材料科学
2021-11-01 v1
摘要
利用低温高光谱成像研究六方氮化硼（hBN）封装的 MoSe 单层中激子和三子的传播。在紧聚焦连续波激光激发下，中性激子和带电三子的空间分布在高激发密度下差异显著。值得注意的是，在此 regime 下三子分布呈现出晕状形态，类似于此前在 WS2 单层中于室温及脉冲激发下观察到的现象。相比之下，激子分布仅呈现适度展宽，未出现晕状结构。空间与光谱分辨的发光光谱揭示了高激发功率下显著温度梯度的建立，这归因于光生热载流子的能量弛豫。我们通过激子与三子输运方程的数值求解表明，该晕状结构可解释为源于粒子电流中 Seebeck 项的三子热漂移。模型显示，三子与激子分布轮廓的差异可简单地由这两类准粒子极不同的寿命来理解。
引用
@article{arxiv.2105.09617,
title = {Imaging Seebeck drift of excitons and trions in MoSe2 monolayers},
author = {Sangjun Park and Bo Han and Caroline Boule and Daniel Paget and Alistair Rowe and Fausto Sirotti and Takashi Taniguchi and Kenji Watanabe and Cedric Robert and Laurent Lombez and Bernhard Urbaszek and Xavier Marie and Fabian Cadiz},
journal= {arXiv preprint arXiv:2105.09617},
year = {2021}
}