外延生长于六方氮化硼上MoSe$_2$单层中激子的相干成像与动力学
材料科学
2023-03-21 v1
摘要
利用四波混频显微镜，我们测量了通过分子束外延在薄层六方氮化硼上生长的MoSe单层中激子和带电激子的相干响应及超快动力学。我们评估了跃迁谱线形状中的非均匀和均匀展宽。通过退相干的温度依赖性推断了声子对均匀退相干的影响。四波混频成像与原子力显微镜相结合，揭示了激子振子强度、非均匀展宽与样品形貌之间的空间关联。外延生长过渡金属硫族化合物的相干光学响应质量现已可与机械剥离样品相媲美，使得对创新材料（如磁性层或Janus半导体）的相干非线性光谱成为可能。
引用
@article{arxiv.2303.10697,
title = {Coherent imaging and dynamics of excitons in MoSe$_2$ monolayers epitaxially grown on hexagonal boron nitride},
author = {Karolina Ewa Połczyńska and Simon Le Denmat and Takashi Taniguchi and Kenji Watanabe and Marek Potemski and Piotr Kossacki and Wojciech Pacuski and Jacek Kasprzak},
journal= {arXiv preprint arXiv:2303.10697},
year = {2023}
}