室温下单层 MoSe2 中的激子-声子耦合强度
介观与纳米尺度物理
2021-04-14 v1 材料科学
摘要
单层过渡金属硫族化物在基础物理与应用方面均处于日益增长的研究努力的中心。激子-声子耦合在决定这些材料的（光）电子性质中起着关键作用。然而，激子-声子耦合强度尚未在室温下被测量。在此，我们发展了二维显微光谱技术以确定单层 MoSe2 的激子-声子耦合。我们探测到作为等待时间 T 函数的拍频信号，该信号由 A 激子与 A'1 光学声子之间的耦合所诱导。对二维拍频图的分析结合模拟给出了激子-声子耦合。约 1 的 Huang-Rhys 因子大于大多数其他无机半导体纳米结构。我们的技术提供了一种独特工具，以约 260 nm 的空间分辨率测量其他异质半导体系统中的激子-声子耦合，并将为光电子器件的发展提供与设计相关的参数。
引用
@article{arxiv.2012.11492,
title = {Exciton-phonon coupling strength in single-layer MoSe2 at room temperature},
author = {Donghai Li and Chiara Trovatello and Stefano Dal Conte and Matthias Nuß and Giancarlo Soavi and Gang Wang and Andrea C. Ferrari and Giulio Cerullo and Tobias Brixner},
journal= {arXiv preprint arXiv:2012.11492},
year = {2021}
}