高质量CVD生长单层与双层MoSe2中的电声耦合、热膨胀系数、共振效应与声子动力学
材料科学
2022-03-14 v1
摘要
探测声子、准粒子激发及其耦合增进了我们对这些二维材料的理解,并被证明对开发其潜在应用至关重要。在此,我们报道了在4-330 K温度范围内对单层与双层MoSe2进行的全面温度与偏振依赖拉曼测量。观测到高达四阶的声子模式,包括禁戒拉曼与红外模式,这可依据激子-声子耦合的Frohlich机制来理解。最值得注意的是,声子线宽随温度的异常变化指出了电声耦合在这些系统中的重要作用,尤其对于面外(A1g)与剪切模式(E22g),且发现其在窄带隙双层中比大带隙单层更为显著。通过偏振依赖测量,我们厘清了对称性指认中的模糊之处,特别是对约170 cm-1与约350 cm-1附近的峰。通过监测声子自能参数实部的温度依赖性,我们仔细提取了单层与双层温度依赖的热膨胀系数,这是器件性能的一项重要参数。我们温度依赖的深入拉曼研究为从基础及应用角度揭示声子在这些二维层状材料中的深层作用铺平了道路。
引用
@article{arxiv.2107.07790,
title = {Electron-Phonon Coupling, Thermal Expansion Coefficient, Resonance Effect and Phonon Dynamics in High Quality CVD Grown Mono and Bilayer MoSe2},
author = {Deepu Kumar and Vivek Kumar and Rahul Kumar and Mahesh Kumar and Pradeep Kumar},
journal= {arXiv preprint arXiv:2107.07790},
year = {2022}
}