掺氮硒化钨单层晶体的分子束蒸发生长
材料科学
2026-02-26 v1
摘要
开发了一种三步法，用于通过分子束蒸发（MBE）生长高品质、光学均匀的WSe₂单层晶体，优势在于使用六方氮化硼（hBN）。该工艺经过优化，以最大化光致发光效率并促进六方WSe₂区域的形成。采用原子力显微镜（AFM）估算WSe₂六方晶域取向的离散程度。通过光学方法识别薄膜的单层特征，并借助高分辨率透射电子显微镜（TEM）横截面进行验证。温度和磁场依赖的研究揭示了杂性激子复合体的行为与剥离样品的类似性。直接生长于hBN且具有均匀的光学响应，证明该WSe₂在使用便捷性和可重复性方面优于机械剥离的WSe₂。本研究结果标志着掺氮硒化钨单层晶体在光学品质方面取得了显著进展，以及大规模功能器件制造的突破。
引用
@article{arxiv.2507.09275,
title = {$WSe_2$ Monolayers Grown by Molecular Beam Epitaxy on hBN},
author = {Julia Kucharek and Mateusz Raczyński and Rafał Bożek and Anna Kaleta and Bogusława Kurowska and Marta Bilska and Sławomir Kret and Takashi Taniguchi and Kenji Watanabe and Piotr Kossacki and Mateusz Goryca and Wojciech Pacuski},
journal= {arXiv preprint arXiv:2507.09275},
year = {2026}
}
备注
Article and SI, 18 pages in total, 10 figures in total