单取向高质量 MoS$_2$ 单层的外延生长

Harsh Bana; Elisabetta Travaglia; Luca Bignardi; Paolo Lacovig; Charlotte E. Sanders; Maciej Dendzik; Matteo Michiardi; Marco Bianchi; Daniel Lizzit; Francesco Presel; Dario De Angelis; Nicoleta Apostol; Pranab Kumar Das; Jun Fujii; Ivana Vobornik; Rosanna Larciprete; Alessandro Baraldi; Philip Hofmann; Silvano Lizzit

单取向高质量 MoS$_2$ 单层的外延生长

材料科学 2018-02-13 v2

作者: Harsh Bana , Elisabetta Travaglia , Luca Bignardi , Paolo Lacovig , Charlotte E. Sanders , Maciej Dendzik , Matteo Michiardi , Marco Bianchi , Daniel Lizzit , Francesco Presel , Dario De Angelis , Nicoleta Apostol , Pranab Kumar Das , Jun Fujii , Ivana Vobornik , Rosanna Larciprete , Alessandro Baraldi , Philip Hofmann , Silvano Lizzit

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摘要

我们呈现了一项关于具有单取向（即无镜像畴存在）的高质量单层 MoS $_2$ 生长与表征的研究。该 MoS $_2$ 层的单取向通过 X 射线光电子衍射确立。其高质量通过扫描隧道显微镜与 X 射线光电子能谱测量相结合得以证明。在样品上进行的自旋与角分辨光电子实验揭示了布里渊区 K 与 -K 点附近价带态的完全自旋极化。这些发现为在外延生长材料基器件中利用自旋与谷自由度进行信息编码与处理开辟了可能。

关键词

MoS$_2$ 单层外延生长单取向 X 射线光电子衍射自旋极化谷自由度

引用

@article{arxiv.1802.02220,
  title  = {Epitaxial Growth of Single-Orientation High-Quality MoS$_2$ Monolayers},
  author = {Harsh Bana and Elisabetta Travaglia and Luca Bignardi and Paolo Lacovig and Charlotte E. Sanders and Maciej Dendzik and Matteo Michiardi and Marco Bianchi and Daniel Lizzit and Francesco Presel and Dario De Angelis and Nicoleta Apostol and Pranab Kumar Das and Jun Fujii and Ivana Vobornik and Rosanna Larciprete and Alessandro Baraldi and Philip Hofmann and Silvano Lizzit},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1802.02220},
  year   = {2018}
}

备注

25 pages, 10 figures

单取向高质量 MoS$_2$ 单层的外延生长

摘要

关键词

引用

备注

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