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单层 $MoS_{2}$ 中的纵向与自旋/谷霍尔光学电导率

介观与纳米尺度物理 2023-06-09 v2 光学

摘要

单层 MoS2MoS_{2} 具有非中心对称的晶体结构和自旋极化能带。它是一种双谷半导体,其直接带隙位于电磁波谱的可见光范围。其光学性质在谷电子学及潜在器件应用方面尤为引人关注。我们研究了纵向和横向霍尔动态电导率,并将其分解为电荷、自旋和谷贡献。考虑了分别与两个谷相关的圆偏振光,并根据自旋极化对结果进行了筛选。温度可以极大地改变在频率窗口中观察到的自旋混合,特别是在它们未紧密平衡的情况下。

关键词

引用

@article{arxiv.1211.3094,
  title  = {Longitudinal and spin/valley Hall optical conductivity in single layer $MoS_{2}$},
  author = {Zhou Li and J. P. Carbotte},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1211.3094},
  year   = {2023}
}

备注

8 pages, 5 figures, accepted by Phys. Rev. B