MoS2 晶体管中的谷霍尔效应
介观与纳米尺度物理
2015-06-19 v2
摘要
具有蜂窝晶格结构的二维晶体中的电子，除了电荷和自旋外，还拥有新的谷自由度（DOF）。预测每个谷在无磁场情况下均会表现出霍尔效应，其符号取决于谷指数，但迄今为止该效应尚未被观测到。在此，我们报告了这种新谷霍尔效应（VHE）的首次观测。单层 MoS2 晶体管被圆偏振光照射，该光优先将电子激发到特定谷中，观测到了有限的反常霍尔电压，其符号由光的螺旋度控制。其大小与 VHE 的理论预测一致，并且由于晶体反演对称性的恢复，在双层器件中未观测到反常霍尔效应。我们对 VHE 的观测为在下一代电子学和光电子学中利用谷自由度作为信息载体开辟了新的可能性。
引用
@article{arxiv.1403.5039,
title = {The Valley Hall Effect in MoS2 Transistors},
author = {Kin Fai Mak and Kathryn L. McGill and Jiwoong Park and Paul L. McEuen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1403.5039},
year = {2015}
}