双层 MoS2 晶体管中谷霍尔效应的电调控
介观与纳米尺度物理
2017-07-14 v1
摘要
固体中电子的谷自由度已被提出作为超越电子电荷和自旋的新型信息载体。最近在单层 MoS2 中通过谷霍尔效应实现谷极化的光学取向和谷电流产生的实验演示，显示了二维半导体过渡金属硫族化物在基于谷的电子和光电子应用中的潜力。然而，单层 MoS2（一种非中心对称晶体）中的谷霍尔电导率不易调控，这对基于谷的应用提出了挑战。在此，我们报道通过栅极控制双层 MoS2 晶体管中的谷霍尔效应。双层 MoS2 中存在的反演对称性被垂直于平面的栅极施加电场打破。由纵向电流引起的器件沟道边缘附近的谷极化通过克尔旋转显微镜成像。该极化是面外的，两条边缘符号相反，并且强烈依赖于栅电压。该观察结果与双层 MoS2 中依赖于对称性的贝里曲率和谷霍尔电导率一致。我们的结果是朝着基于谷自由度的信息处理迈出的另一步。
引用
@article{arxiv.1508.03068,
title = {Electrical control of the valley Hall effect in bilayer MoS2 transistors},
author = {Jieun Lee and Kin Fai Mak and Jie Shan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1508.03068},
year = {2017}
}
备注
10 pages, 4 figures