过渡金属二硫属化物双层中的磁电效应与谷控自旋量子门
介观与纳米尺度物理
2013-07-19 v1
摘要
在单层 VI 族过渡金属二硫属化物（TMDC）中，载流子具有自旋和谷自由度，两者都与磁矩相关。另一方面，多层中的层自由度与电极化相关。在此，我们表明 TMDC 双层为实现空穴的自旋、层赝自旋和谷自由度之间的强耦合提供了一个前所未有的平台。这种耦合不仅在反演对称双层中引起自旋霍尔效应和自旋圆二色性，还导致各种磁电效应，允许对这些电子自由度进行量子操控。振荡电场和磁场均可驱动空穴自旋共振，其中两个场具有依赖于谷的干涉，使得自旋和谷作为信息载流子之间的原型相互作用成为可能，从而具有潜在的谷自旋电子学应用前景。我们展示了如何实现由谷比特控制的自旋量子比特量子门。
引用
@article{arxiv.1303.3932,
title = {Magnetoelectric effects and valley controlled spin quantum gates in transition metal dichalcogenide bilayers},
author = {Zhirui Gong and Gui-Bin Liu and Hongyi Yu and Di Xiao and Xiaodong Cui and Xiaodong Xu and Wang Yao},
journal= {arXiv preprint arXiv:1303.3932},
year = {2013}
}
备注
15 pages, 1 table, 4 figures