单层过渡金属硫族化合物中谷依赖的自旋输运
介观与纳米尺度物理
2020-04-28 v2
摘要
我们从理论上研究了单层过渡金属硫族化合物中谷依赖的自旋输运，由于自旋-谷耦合，其中预期存在丰富的自旋与谷物理。结果表明，在适当的载流子掺杂下自旋被谷选择性地激发，并产生谷极化自旋电流(VPSC)。该VPSC导致自旋流霍尔效应，即源于动量空间中Berry曲率的横向自旋积累。结果表明，具有自旋-谷耦合的自旋激发会导致谷与自旋输运，这为未来低功耗纳米器件应用提供了前景。
引用
@article{arxiv.2001.08670,
title = {Valley-dependent spin transport in monolayer transition-metal dichalcogenides},
author = {Yuya Ominato and Junji Fujimoto and Mamoru Matsuo},
journal= {arXiv preprint arXiv:2001.08670},
year = {2020}
}
备注
6 pages, 5 figures