MoS2 及其他 VI 族二硫族化物单层中的自旋与谷耦合物理
介观与纳米尺度物理
2012-05-09 v3 材料科学
摘要
我们表明，反演对称性破缺与自旋轨道耦合共同导致了 MoS2 及其他 VI 族二硫族化物单层中的自旋与谷耦合物理，使得在这些二维材料中控制自旋和谷成为可能。价带边缘的自旋 - 谷耦合抑制了自旋和谷的弛豫，因为谷对比自旋劈裂禁止了单一指数的翻转。在电子掺杂和空穴掺杂系统中，谷霍尔效应与自旋霍尔效应共存。带间光学跃迁具有频率依赖的偏振选择定则，允许选择性地光激发具有不同谷和自旋指数组合的载流子。光致自旋霍尔效应和谷霍尔效应可在样品边界产生长寿命的自旋和谷积累。此处讨论的物理机制为在具有强自旋轨道耦合和反演对称性破缺的多谷材料中集成谷电子学和自旋电子学提供了一条途径。
引用
@article{arxiv.1112.3144,
title = {Coupled spin and valley physics in monolayers of MoS2 and other group-VI dichalcogenides},
author = {Di Xiao and Gui-Bin Liu and Wanxiang Feng and Xiaodong Xu and Wang Yao},
journal= {arXiv preprint arXiv:1112.3144},
year = {2012}
}
备注
published version