MoS₂-MoSe₂ 界面处电子与空穴的自旋/谷耦合动力学
介观与纳米尺度物理
2021-09-22 v2
摘要
过渡金属硫族化物（TMDs）中耦合的自旋与谷自由度被视为一种有前景的信息处理平台。在此，我们利用 TMD 异质结构 研究跨界面的自旋/谷极化载流子的光泵浦，并阐明支配其后续弛豫的机制。通过应用时间分辨 Kerr 和反射光谱，我们发现光激发载流子在两个隧穿方向上均保持自旋守恒。此后，我们测得电子与空穴的自旋/谷去极化速率差异显著，分别为 和 ，并表明该差异与 TMDs 导带和价带中自旋轨道分裂的不匹配有关。我们的工作提供了不受复杂激子过程影响的自由载流子自旋/谷动力学见解，并确立了 TMD 异质结构作为自旋/谷电子器件中自旋流发生器的地位。
引用
@article{arxiv.2103.09934,
title = {Spin/valley coupled dynamics of electrons and holes at the ${\text{MoS}_{2}-\text{MoSe}_{2}}$ interface},
author = {Abhijeet Kumar and Denis Yagodkin and Nele Stetzuhn and Sviatoslav Kovalchuk and Alexey Melnikov and Peter Elliott and Sangeeta Sharma and Cornelius Gahl and Kirill I. Bolotin},
journal= {arXiv preprint arXiv:2103.09934},
year = {2021}
}
备注
15 + 6 pages; 4 + 3 figures