单层 WS$_2$ 中自由载流子的自旋与谷调控
介观与纳米尺度物理
2017-02-01 v1
摘要
半导体性单层过渡金属硫族化物因具有一系列有利的光学选择定则，已被认为是获取和操控自旋与谷量子数的理想材料。本文中，我们应用时间分辨和角分辨光电子能谱直接探测高质量单层 WS 电子能带结构中光激发的自由载流子。我们观察到，利用圆偏振光激发，单谷中光生自由空穴密度可增至2倍。此外，我们发现通过改变激发光子能量，可以调控材料价带顶附近给定自旋分裂态中的自由载流子密度。因此，通过控制激发光的光子能量和偏振，我们可以选择性的在单一谷内激发具有给定自旋的自由电子-空穴对。
引用
@article{arxiv.1608.06023,
title = {Spin and Valley Control of Free Carriers in Single-Layer WS$_2$},
author = {Søren Ulstrup and Antonija Grubišić Čabo and Deepnarayan Biswas and Jonathon M. Riley and Maciej Dendzik and Charlotte E. Sanders and Marco Bianchi and Cephise Cacho and Dan Matselyukh and Richard T. Chapman and Emma Springate and Phil D. C. King and Jill A. Miwa and Philip Hofmann},
journal= {arXiv preprint arXiv:1608.06023},
year = {2017}
}
备注
5 pages, 4 figures