WSe2 与 WS2 单层中驻留电子的自旋/谷泵浦
介观与纳米尺度物理
2021-10-04 v1 材料科学
摘要
过渡金属硫族化物单层是用电学或光学手段控制自旋与谷自由度的理想材料。然而，光激发主要产生具有固有短寿命与自旋/谷弛豫时间的激子物种。本文中我们展示了在 n 掺杂 WSe2 与 WS2 单层中非常高效的驻留电子自旋/谷光学泵浦。我们观察到，使用连续波激光及适当的掺杂与激发密度时，负三离子双重线表现出符号相反的圆偏振，且三重态三离子的光致发光强度在圆偏振激发下比线偏振激发下大四倍以上。我们将该结果解释为利用圆偏振光实现驻留电子大动态极化的结果。
引用
@article{arxiv.2105.04861,
title = {Spin/Valley pumping of resident electrons in WSe2 and WS2 monolayers},
author = {Cedric Robert and Sangjun Park and Fabian Cadiz and Laurent Lombez and Lei Ren and Hans Tornatzky and Alistair Rowe and Daniel Paget and Fausto Sirotti and Min Yang and Dinh Van Tuan and Takashi Taniguchi and Bernhard Urbaszek and Kenji Watanabe and Thierry Amand and Hanan Dery and Xavier Marie},
journal= {arXiv preprint arXiv:2105.04861},
year = {2021}
}