高磁场下单层WS$_2$中的激子谷效应
介观与纳米尺度物理
2016-12-12 v1
摘要
过渡金属硫族化物可以容易地制成原子级薄层，展示了光学极化和读出这些2D半导体中存在的极稳定激子准粒子的谷赝自旋的可能性。在这里，我们通过低温光致发光光谱研究高达30 T的高磁场下的二硫化钨单层。所有光学特征的谷简并都被解除，特别是对于激子、单态和三重态三子，我们分别确定了g因子。虽然观察到激子和三子共振的抗磁位移让我们深入了解这些准粒子在实空间中的扩展，但磁场诱导的谷极化效应阐明了倒易空间中激子和三子的色散关系。三子谷极化的场依赖性与预测的三子分裂为单态和三重态构型一致。
引用
@article{arxiv.1612.03004,
title = {Excitonic valley effects in monolayer WS$_2$ under high magnetic fields},
author = {Gerd Plechinger and Philipp Nagler and Ashish Arora and Andrés Granados del Águila and Mariana V. Ballottin and Tobias Frank and Philipp Steinleitner and Martin Gmitra and Jaroslav Fabian and Peter C. M. Christianen and Rudolf Bratschitsch and Christian Schüller and Tobias Korn},
journal= {arXiv preprint arXiv:1612.03004},
year = {2016}
}