单层二硫族化物中激子的谷动力学
介观与纳米尺度物理
2017-06-21 v2
摘要
单层过渡金属二硫族化物（TMDCs）最近已成为谷电子学应用的潜在候选材料，因为其自旋和谷赝自旋直接耦合并由大的自旋劈裂稳定。在这些半导体材料中，光激发的电子 - 空穴对形成具有大结合能的紧密库仑束缚激子。激子跃迁的选择定则允许利用共振激发直接光学产生谷极化激子布居。在此，我们通过低温时间分辨克尔旋转研究了三种不同 TMDCs 单层的激子谷动力学。我们观察到基于钨和基于钼的 TMDCs 在谷动力学上存在显著差异，这直接归因于这些材料中导带自旋劈裂顺序的相反。
引用
@article{arxiv.1705.10988,
title = {Valley Dynamics of Excitons in Monolayer Dichalcogenides},
author = {Gerd Plechinger and Philipp Nagler and Ashish Arora and Robert Schmidt and Alexey Chernikov and John Lupton and Rudolf Bratschitsch and Christian Schüller and Tobias Korn},
journal= {arXiv preprint arXiv:1705.10988},
year = {2017}
}