单层过渡金属硫族化合物中的激子动力学
介观与纳米尺度物理
2016-05-04 v1 材料科学
摘要
自半导体性单层过渡金属硫族化合物被发现以来，已开展多种实验与理论研究，以理解本征激子布居衰减与谷弛豫动力学。激子衰减时间的报道从数百飞秒到十纳秒不等，而谷去极化时间可超过一纳秒。然而，目前对于支配激子辐射与非辐射复合的微观机制缺乏共识。强的激子振子强度导致单层的吸收高达20%，这表明存在超快辐射复合。然而，低量子产额以及报道寿命的巨大差异表明，非辐射俄歇型过程掩盖了本征激子辐射寿命。无论何种情况，电子-空穴交换相互作用在激子自旋与谷动力学中起着重要作用。本文中，我们综述了得出这些结论的实验与理论，并评述可能补充当前理解的未来实验。
引用
@article{arxiv.1602.04543,
title = {Exciton Dynamics in Monolayer Transition Metal Dichalcogenides},
author = {Galan Moody and John Schaibley and Xiaodong Xu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1602.04543},
year = {2016}
}