二维异质结构中的微秒暗激子谷极化记忆
介观与纳米尺度物理
2018-05-09 v1 量子物理
摘要
过渡金属二硫族化物具有谷自由度，其特征是光学选择规则和自旋-谷锁定，使其在谷电子学器件和量子计算方面具有前景。对于这两种应用，长谷极化寿命至关重要。先前的结果表明，单层激子的寿命在皮秒量级，电子、空穴或局域激子的寿命在纳秒量级，而层间激子的寿命在数十纳秒量级。这里我们表明，由于磁场诱导的谷混合抑制，二维异质结构中的暗激子提供了微秒级的谷极化记忆。暗激子的寿命表现出与理论预测一致的磁场和温度依赖性。二维异质结构中长暗激子寿命和谷极化寿命使其在长距离激子传输和宏观量子态产生方面具有前景。
引用
@article{arxiv.1703.03133,
title = {Microsecond dark-exciton valley polarization memory in 2D heterostructures},
author = {Chongyun Jiang and Weigao Xu and Abdullah Rasmita and Zumeng Huang and Ke Li and Qihua Xiong and Wei-bo Gao},
journal= {arXiv preprint arXiv:1703.03133},
year = {2018}
}