室温层间激子谷极化与谷霍尔效应
介观与纳米尺度物理
2019-04-23 v1
摘要
对于单层过渡金属硫族化物(TMDs),不同谷中的电子和激子可被 Berry 曲率驱动至相反方向,充当谷依赖的有效磁场。除单层 TMDs 外,范德瓦耳斯异质结构为新兴谷物理及具有优越物理性质的器件提供了一个吸引人的平台。与单层层内激子相比,TMD 异质结构中的层间激子具有更长的谷寿命。本文报道了 MoS2/WSe2 中室温下的层间激子谷极化与谷霍尔效应。通过偏振依赖的光致发光映射观察到不同谷指数激子的分离。激子分离方向垂直于其传输方向。间接激子的谷霍尔效应即使在室温下也得以维持,这与先前单层 TMDs 实验中的低温条件形成对比。室温下间接激子谷极化与谷霍尔效应的演示,可能为基于 TMD 异质结构的光-谷电子器件的发展开辟新前景。
引用
@article{arxiv.1904.09718,
title = {Room temperature interlayer exciton valley polarization and valley Hall effect},
author = {Zumeng Huang and Yuanda Liu and Kévin Dini and Zhuojun Liu and Hanlin Fang and Jin Liu and Timothy Liew and Weibo Gao},
journal= {arXiv preprint arXiv:1904.09718},
year = {2019}
}