室温下范德华异质结构中的间接激子
介观与纳米尺度物理
2018-05-24 v1
摘要
范德华过渡金属二硫族化物(TMD)异质结构中的间接激子具有高结合能的特点，使其在室温下稳定，从而为探索激子系统的基本现象和开发在高温下工作的激子器件提供了机会。我们报道了在室温下、基于由原子级薄六方氮化硼隔开的MoS单层范德华TMD异质结构中观察到IXs。在TMD异质结构中实现的IXs的寿命比单层TMD中直接激子的寿命长几个数量级，且其能量受栅极控制。
引用
@article{arxiv.1709.07043,
title = {Indirect excitons in van der Waals heterostructures at room temperature},
author = {E. V. Calman and M. M. Fogler and L. V. Butov and S. Hu and A. Mishchenko and A. K. Geim},
journal= {arXiv preprint arXiv:1709.07043},
year = {2018}
}